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ST推出系列基于STripFET技术的低压场效应MOSFET电子设备行业资讯资讯-【新闻】

发布时间:2021-04-05 15:48:17 阅读: 来源:洗浴锅炉厂家

意法半导体日前推出多款基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管。STripFET技术采用优化布局和最新工艺,提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性,并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率,主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括STS12NH3LL、STSJ50NH3LL、STD55NH2LL、STD95NH02L、STL8NH3LL和STL50NH3LL。

其中,STS12NH3LL是一款30V器件,额定电流12A。STSJ50NH3LL也是一款30V器件,额定电流50A。这两款产品在10V时典型通态电阻均是0.008Ω,在4.5V时,通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。STS12NH3LL采用SO-8封装,STSJ50NH3LL采用PowerSO-8封装。

而STD55NH2LL则是一款24V的器件,额定电流55A。10V时,典型通态电阻0.01Ω,4.5V时为0.012Ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计,它采用IPAK (TO-251)通孔封装和表面组装DPAK (TO-252)封装。

STD95NH02L也是一款24V的器件,额定电流80A。在5V时,典型通态电阻0.0039Ω,5V时为0.0055Ω。由于栅电荷极低,在10V时,这款器件的典型灵敏系数值为136.5nC*Qg,它采用表面安装的DPAK (TO-252)封装。

STL8NH3LL和STL50NH3LL两款器件目前均采用PowerFLATTM封装,改进了芯片-占板尺寸比,降低了封装外廓尺寸和热阻。其中STL8NH3LL是一款30V器件,额定电流8A,在10V时,通态电阻0.012Ω,采用3.3×3.3mm PowerFLATTM封装;STL50NH3LL也是一款30V器件,额定电流27A,在10V时,典型通态电阻0.011Ω,采用6×5mm PowerFLATTM封装。这两款产品都用于隔离型直流-直流变换器的同步整流电路,以及降压变换器的控制场效应晶体管。

上述产品现已上市销售,定购30万件,单价区间在0.285到0.485美元之间(仅供参考)。

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